THIẾT BỊ PHÂN TÍCH LƯU HUỲNH TRONG THAN
• Phương pháp thử nghiệm: chuẩn độ Coulomb hoặc phương pháp tương đương, phù hợp tiêu chuẩn xác định S trong than.
• Phạm vi phân tích lưu huỳnh: 0,01–40%; độ phân giải lưu huỳnh: 0,001% S.
• Thời gian phân tích: 3–6 phút/mẫu; thời gian làm nóng sơ bộ ≤ 30 phút.
• Số lượng mẫu: ≥ 01 mẫu/lần.
• Khối lượng mẫu phân tích: 50 mg hoặc theo khuyến cáo của nhà sản xuất, bảo đảm đồng bộ với công nghệ thiết bị phân tích.
• Nhiệt độ lò: ≥ 1.150°C; phần tử/vật liệu gia nhiệt Silicon Carbide hoặc vật liệu tương đương, phù hợp lò đốt nhiệt độ cao.
• Độ chính xác điều khiển nhiệt độ: ±2,5°C; cảm biến nhiệt độ cặp nhiệt điện.
• Khí cấp: không khí.
• Áp suất khí: 14–45 psig, tương đương 1–3 bar hoặc đồng bộ với công nghệ của thiết bị phân tích.
• Nguồn điện: 220 V, 50 Hz.
• Cơ cấu nạp mẫu và đưa mẫu ra sau phân tích: thủ công hoặc theo cấu hình chuẩn của thiết bị.
• Điều khiển: phần mềm thông qua PC bên ngoài.
THIẾT BỊ PHÂN TÍCH LƯU HUỲNH TRONG THAN • Phương pháp thử nghiệm: chuẩn độ Coulomb hoặc phương pháp tương đương, phù hợp tiêu chuẩn xác định S trong than. • Phạm vi phân tích lưu huỳnh: 0,01–40%; độ phân giải lưu huỳnh: 0,001% S. • Thời gian phân tích: 3–6 phút/mẫu; thời gian làm nóng sơ bộ ≤ 30 phút. • Số lượng mẫu: ≥ 01 mẫu/lần. • Khối lượng mẫu phân tích: 50 mg hoặc theo khuyến cáo của nhà sản xuất, bảo đảm đồng bộ với công nghệ thiết bị phân tích. • Nhiệt độ lò: ≥ 1.150°C; phần tử/vật liệu gia nhiệt Silicon Carbide hoặc vật liệu tương đương, phù hợp lò đốt nhiệt độ cao. • Độ chính xác điều khiển nhiệt độ: ±2,5°C; cảm biến nhiệt độ cặp nhiệt điện. • Khí cấp: không khí. • Áp suất khí: 14–45 psig, tương đương 1–3 bar hoặc đồng bộ với công nghệ của thiết bị phân tích. • Nguồn điện: 220 V, 50 Hz. • Cơ cấu nạp mẫu và đưa mẫu ra sau phân tích: thủ công hoặc theo cấu hình chuẩn của thiết bị. • Điều khiển: phần mềm thông qua PC bên ngoài.
Mô tả
Thông tin bổ sung
| Đơn vị tính | Cái |
|---|
